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太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析

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樊国丽, 江月松, 刘丽, 黎芳. 2010: 太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析, 物理学报, 59(8): 5374-5381.
引用本文: 樊国丽, 江月松, 刘丽, 黎芳. 2010: 太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析, 物理学报, 59(8): 5374-5381.
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Fan Guo-Li, Jiang Yue-Song, Liu Li, Li Fang. 2010: Analysis on high frequency performance of THz GaAs Schottky mixer diode, Acta Physica Sinica, 59(8): 5374-5381.
Citation: Fan Guo-Li, Jiang Yue-Song, Liu Li, Li Fang. 2010: Analysis on high frequency performance of THz GaAs Schottky mixer diode, Acta Physica Sinica, 59(8): 5374-5381.
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太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析

  • 北京航空航天大学,电子信息工程学院,北京,100191

Analysis on high frequency performance of THz GaAs Schottky mixer diode

  • 摘要: 在太赫兹波段,存在几种新的高频效应会限制混频二极管的高频特性.应用热电子发射理论和隧道理论,研究了外延层肖特基二极管的高频特性,并以截止频率为品质因数对二极管进行优化设计,研究表明,当二极管工作频率大于等离子频率时,二极管相当于一个电容,失去了混频性能;提高基底掺杂浓度可以减小基底等离子共振效应;外延层等离子频率非常重要并且在研究外延层等离子共振效应时必须考虑传输时间效应;减小阳极直径、减小外延层厚度、提高外延层掺杂浓度可以提高二极管的工作频率.这对太赫兹波段室温混频器件的研制具有重要的参考价值.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析

  • 北京航空航天大学,电子信息工程学院,北京,100191

摘要: 在太赫兹波段,存在几种新的高频效应会限制混频二极管的高频特性.应用热电子发射理论和隧道理论,研究了外延层肖特基二极管的高频特性,并以截止频率为品质因数对二极管进行优化设计,研究表明,当二极管工作频率大于等离子频率时,二极管相当于一个电容,失去了混频性能;提高基底掺杂浓度可以减小基底等离子共振效应;外延层等离子频率非常重要并且在研究外延层等离子共振效应时必须考虑传输时间效应;减小阳极直径、减小外延层厚度、提高外延层掺杂浓度可以提高二极管的工作频率.这对太赫兹波段室温混频器件的研制具有重要的参考价值.

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