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3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究

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张云, 邵晓红, 王治强. 2010: 3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究, 物理学报, 59(8): 5652-5660.
引用本文: 张云, 邵晓红, 王治强. 2010: 3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究, 物理学报, 59(8): 5652-5660.
shu
Zhang Yun, Shao Xiao-Hong, Wang Zhi-Qiang. 2010: A first principle study on p-type doped 3C-SiC, Acta Physica Sinica, 59(8): 5652-5660.
Citation: Zhang Yun, Shao Xiao-Hong, Wang Zhi-Qiang. 2010: A first principle study on p-type doped 3C-SiC, Acta Physica Sinica, 59(8): 5652-5660.
shu

3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究

  • 北京化工大学理学院,北京,100029

  • 中国科学院光电研究院,北京,100190

A first principle study on p-type doped 3C-SiC

  • 摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ca在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.
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出版历程

3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究

  • 北京化工大学理学院,北京,100029
  • 中国科学院光电研究院,北京,100190

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ca在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.

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