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硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究

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封飞飞, 刘军林, 邱冲, 王光绪, 江凤益. 2010: 硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究, 物理学报, 59(8): 5706-5709.
引用本文: 封飞飞, 刘军林, 邱冲, 王光绪, 江凤益. 2010: 硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究, 物理学报, 59(8): 5706-5709.
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Feng Fei-Fei, Liu Jun-Lin, Qiu Chong, Wang Guang-Xu, Jiang Feng-Yi. 2010: N-polar n-type Ohmic Contact of GaN-based LED on Si substrate, Acta Physica Sinica, 59(8): 5706-5709.
Citation: Feng Fei-Fei, Liu Jun-Lin, Qiu Chong, Wang Guang-Xu, Jiang Feng-Yi. 2010: N-polar n-type Ohmic Contact of GaN-based LED on Si substrate, Acta Physica Sinica, 59(8): 5706-5709.
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硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330029

  • 晶能光电(江西)有限公司,南昌,330029

N-polar n-type Ohmic Contact of GaN-based LED on Si substrate

  • 摘要: 在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了Ⅰ-Ⅴ曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.
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出版历程

硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047
  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330029
  • 晶能光电(江西)有限公司,南昌,330029

摘要: 在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了Ⅰ-Ⅴ曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.

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