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AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究

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王林, 胡伟达, 陈效双, 陆卫. 2010: AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究, 物理学报, 59(8): 5730-5737.
引用本文: 王林, 胡伟达, 陈效双, 陆卫. 2010: AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究, 物理学报, 59(8): 5730-5737.
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Wang Lin, Hu Wei-Da, Chen Xiao-Shuang, Lu Wei. 2010: Study on mechanism of current collapse and knee voltage drift for AlGaN/GaN H EMTs, Acta Physica Sinica, 59(8): 5730-5737.
Citation: Wang Lin, Hu Wei-Da, Chen Xiao-Shuang, Lu Wei. 2010: Study on mechanism of current collapse and knee voltage drift for AlGaN/GaN H EMTs, Acta Physica Sinica, 59(8): 5730-5737.
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AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

Study on mechanism of current collapse and knee voltage drift for AlGaN/GaN H EMTs

  • 摘要: 考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.

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