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Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

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郭冬云, 李超, 王传彬, 沈强, 张联盟, Tu Rong, Goto Takashi. 2010: Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜, 物理学报, 59(8): 5772-5776.
引用本文: 郭冬云, 李超, 王传彬, 沈强, 张联盟, Tu Rong, Goto Takashi. 2010: Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜, 物理学报, 59(8): 5772-5776.
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Guo Dong-Yun, Li Chao, Wang Chuan-Bin, Shen Qiang, Zhang Lian-Meng, Tu Rong, Goto Takashi. 2010: Preparation of multiferroic Bi0.85Nd0.15FeO3 thin films by sol-gel method, Acta Physica Sinica, 59(8): 5772-5776.
Citation: Guo Dong-Yun, Li Chao, Wang Chuan-Bin, Shen Qiang, Zhang Lian-Meng, Tu Rong, Goto Takashi. 2010: Preparation of multiferroic Bi0.85Nd0.15FeO3 thin films by sol-gel method, Acta Physica Sinica, 59(8): 5772-5776.
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Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

  • 武汉理工大学材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;Institute for Materials Research,Tohoku University,Sendai 980-8577,Japan

  • 武汉理工大学材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

  • Institute for Materials Research,Tohoku University,Sendai 980-8577,Japan

Preparation of multiferroic Bi0.85Nd0.15FeO3 thin films by sol-gel method

  • 摘要: 利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450℃退火时,Bi0.85Nd0.15FeO3晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500-600℃退火可以获得单相Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600℃退火的Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1 MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8 emu/cm3;剩余极化值(2P,)大约是16.6μC/cm2.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

  • 武汉理工大学材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;Institute for Materials Research,Tohoku University,Sendai 980-8577,Japan
  • 武汉理工大学材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
  • Institute for Materials Research,Tohoku University,Sendai 980-8577,Japan

摘要: 利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450℃退火时,Bi0.85Nd0.15FeO3晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500-600℃退火可以获得单相Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600℃退火的Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1 MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8 emu/cm3;剩余极化值(2P,)大约是16.6μC/cm2.

English Abstract

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