AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究

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喻利花, 薛安俊, 董松涛, 许俊华. 2010: AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究, 物理学报, 59(6): 4150-4155.
引用本文: 喻利花, 薛安俊, 董松涛, 许俊华. 2010: AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究, 物理学报, 59(6): 4150-4155.
Yu Li-Hua, Xue An-Jun, Dong Song-Tao, Xu Jun-Hua. 2010: Hetero-structure coherent epitaxial growth in AlN/NbN nano-structured multilayers, Acta Physica Sinica, 59(6): 4150-4155.
Citation: Yu Li-Hua, Xue An-Jun, Dong Song-Tao, Xu Jun-Hua. 2010: Hetero-structure coherent epitaxial growth in AlN/NbN nano-structured multilayers, Acta Physica Sinica, 59(6): 4150-4155.

AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究

Hetero-structure coherent epitaxial growth in AlN/NbN nano-structured multilayers

  • 摘要: 采用射频磁控溅射法制备了NbN,AlN单层膜及不同调制周期的AlN/NbN纳米结构多层膜,采用X射线衍射仪、小角度X射线反射仪和高分辨透射电子显微镜等对薄膜进行了表征.结果表明:单层膜AlN为六方结构,NbN为面心立方结构;AlN/NbN多层膜中AlN为六方结构,NbN为面心立方结构,界面处呈共格状态,其共格关系为c-NbN(111)面平行于h-AlN(0002)面,晶格错配度为0.13%.热力学计算表明:AlN/NbN多层膜中不论AlN层与NbN层的厚度如何,AlN层均不会形成亚稳的立方AlN,而是形成自身的平衡六方结构,与NbN形成异结构外延生长.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究

  • 江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏省先进焊接技术重点实验室,镇江212003

摘要: 采用射频磁控溅射法制备了NbN,AlN单层膜及不同调制周期的AlN/NbN纳米结构多层膜,采用X射线衍射仪、小角度X射线反射仪和高分辨透射电子显微镜等对薄膜进行了表征.结果表明:单层膜AlN为六方结构,NbN为面心立方结构;AlN/NbN多层膜中AlN为六方结构,NbN为面心立方结构,界面处呈共格状态,其共格关系为c-NbN(111)面平行于h-AlN(0002)面,晶格错配度为0.13%.热力学计算表明:AlN/NbN多层膜中不论AlN层与NbN层的厚度如何,AlN层均不会形成亚稳的立方AlN,而是形成自身的平衡六方结构,与NbN形成异结构外延生长.

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