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扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂

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徐慧, 肖金, 欧阳方平. 2010: 扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂, 物理学报, 59(6): 4186-4193.
引用本文: 徐慧, 肖金, 欧阳方平. 2010: 扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂, 物理学报, 59(6): 4186-4193.
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Xu Hui, Xiao Jin, Ouyang Fang-Ping. 2010: Boron/nitrogen pairs doping in armchair single-walled carbon nanotubes, Acta Physica Sinica, 59(6): 4186-4193.
Citation: Xu Hui, Xiao Jin, Ouyang Fang-Ping. 2010: Boron/nitrogen pairs doping in armchair single-walled carbon nanotubes, Acta Physica Sinica, 59(6): 4186-4193.
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扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

Boron/nitrogen pairs doping in armchair single-walled carbon nanotubes

  • 摘要: 利用第一性原理电子结构计算方法,研究了扶手椅型单壁碳纳米管(SWCNT)的B/N对掺杂效应.研究发现,对于扶手椅型SWCNT两个不同的掺杂位点,B/N对更容易发生在与管轴线成30°角的P1位点上.B/N对的掺杂使得金属性SWCNT能隙打开,且能隙随着B/N对轴向掺杂浓度的升高而逐渐增大.同时,还发现两B/N对掺杂后SWCNT的电子结构敏感地依赖于B/N对在圆周上的相对位置,能隙随着B/N对相对距离的增大而增大.这归结于B/N对的掺入影响了原有的电荷分布,这种影响是局域的,B/N对相对距离的增大使得B/N对总的影响区域也增大.这些研究结果有助于获得纯净的半导体,并能对其电子结构进行有效的控制.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

摘要: 利用第一性原理电子结构计算方法,研究了扶手椅型单壁碳纳米管(SWCNT)的B/N对掺杂效应.研究发现,对于扶手椅型SWCNT两个不同的掺杂位点,B/N对更容易发生在与管轴线成30°角的P1位点上.B/N对的掺杂使得金属性SWCNT能隙打开,且能隙随着B/N对轴向掺杂浓度的升高而逐渐增大.同时,还发现两B/N对掺杂后SWCNT的电子结构敏感地依赖于B/N对在圆周上的相对位置,能隙随着B/N对相对距离的增大而增大.这归结于B/N对的掺入影响了原有的电荷分布,这种影响是局域的,B/N对相对距离的增大使得B/N对总的影响区域也增大.这些研究结果有助于获得纯净的半导体,并能对其电子结构进行有效的控制.

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