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弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

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周远明, 俞国林, 高矿红, 林铁, 郭少令, 褚君浩, 戴宁. 2010: 弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究, 物理学报, 59(6): 4221-4225.
引用本文: 周远明, 俞国林, 高矿红, 林铁, 郭少令, 褚君浩, 戴宁. 2010: 弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究, 物理学报, 59(6): 4221-4225.
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Zhou Yuan-Ming, Yu Guo-Lin, Gao Kuang-Hong, Lin Tie, Guo Shao-Ling, Chu Jun-Hao, Dai Ning. 2010: Magneto-tunneling effect in weakly coupled GaAs/AlGaAs/InGaAs double quantum well tunneling structure, Acta Physica Sinica, 59(6): 4221-4225.
Citation: Zhou Yuan-Ming, Yu Guo-Lin, Gao Kuang-Hong, Lin Tie, Guo Shao-Ling, Chu Jun-Hao, Dai Ning. 2010: Magneto-tunneling effect in weakly coupled GaAs/AlGaAs/InGaAs double quantum well tunneling structure, Acta Physica Sinica, 59(6): 4221-4225.
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弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

Magneto-tunneling effect in weakly coupled GaAs/AlGaAs/InGaAs double quantum well tunneling structure

  • 摘要: 研究了低温(1.5 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 研究了低温(1.5 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.

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