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n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

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韩茹, 樊晓桠, 杨银堂. 2010: n-SiC拉曼散射光谱的温度特性, 物理学报, 59(6): 4261-4266.
引用本文: 韩茹, 樊晓桠, 杨银堂. 2010: n-SiC拉曼散射光谱的温度特性, 物理学报, 59(6): 4261-4266.
shu
Han Ru, Fan Xiao-Ya, Yang Yin-Tang. 2010: Temperature-dependent Raman property of n-type SiC, Acta Physica Sinica, 59(6): 4261-4266.
Citation: Han Ru, Fan Xiao-Ya, Yang Yin-Tang. 2010: Temperature-dependent Raman property of n-type SiC, Acta Physica Sinica, 59(6): 4261-4266.
shu

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

  • 西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安710072

  • 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

Temperature-dependent Raman property of n-type SiC

  • 摘要: 测量了采用离子注入法得到掺N的n-Sic晶体从100-450 K的拉曼光谱.研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应.实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小.重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关.电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增大,强度随温度升高而减弱,但其峰值位置基本不变.二级拉曼谱的红移不如一级拉曼谱明显,但其峰值强度却随着温度的升高显示出明显下降的趋势.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

  • 西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安710072
  • 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

摘要: 测量了采用离子注入法得到掺N的n-Sic晶体从100-450 K的拉曼光谱.研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应.实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小.重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关.电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增大,强度随温度升高而减弱,但其峰值位置基本不变.二级拉曼谱的红移不如一级拉曼谱明显,但其峰值强度却随着温度的升高显示出明显下降的趋势.

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