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电场调谐InAs单量子点的发光光谱

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常秀英, 窦秀明, 孙宝权, 熊永华, 倪海桥, 牛智川. 2010: 电场调谐InAs单量子点的发光光谱, 物理学报, 59(6): 4279-4282.
引用本文: 常秀英, 窦秀明, 孙宝权, 熊永华, 倪海桥, 牛智川. 2010: 电场调谐InAs单量子点的发光光谱, 物理学报, 59(6): 4279-4282.
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Chang Xiu-Ying, Dou Xiu-Ming, Sun Bao-Quan, Xiong Yong-Hua, Ni Hai-Qiao, Niu Zhi-Chuan. 2010: Tuning photoluminescence of single InAs quantum dot by electric field, Acta Physica Sinica, 59(6): 4279-4282.
Citation: Chang Xiu-Ying, Dou Xiu-Ming, Sun Bao-Quan, Xiong Yong-Hua, Ni Hai-Qiao, Niu Zhi-Chuan. 2010: Tuning photoluminescence of single InAs quantum dot by electric field, Acta Physica Sinica, 59(6): 4279-4282.
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电场调谐InAs单量子点的发光光谱

  • 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083

Tuning photoluminescence of single InAs quantum dot by electric field

  • 摘要: 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

电场调谐InAs单量子点的发光光谱

  • 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083

摘要: 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.

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