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透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

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杨智, 邹继军, 常本康. 2010: 透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究, 物理学报, 59(6): 4290-4295.
引用本文: 杨智, 邹继军, 常本康. 2010: 透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究, 物理学报, 59(6): 4290-4295.
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Yang Zhi, Zou Ji-Jun, Chang Ben-Kang. 2010: Research on the optimal thickness of transmission-mode exponential-doping GaAs photocathode, Acta Physica Sinica, 59(6): 4290-4295.
Citation: Yang Zhi, Zou Ji-Jun, Chang Ben-Kang. 2010: Research on the optimal thickness of transmission-mode exponential-doping GaAs photocathode, Acta Physica Sinica, 59(6): 4290-4295.
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透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094

Research on the optimal thickness of transmission-mode exponential-doping GaAs photocathode

  • 摘要: 通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为1.6-2.2μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度进行了仿真分析,发现厚度为2.0μm时阴极积分灵敏度最大.外延生长阴极厚度分别为1.6和2.0 μm的两种透射式指数掺杂GaAs样品并进行了激活实验,测得样品的积分灵敏度分别为1228和1547μA/1m,两者的比值为79.6%.实验结果与仿真结果符合.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094

摘要: 通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为1.6-2.2μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度进行了仿真分析,发现厚度为2.0μm时阴极积分灵敏度最大.外延生长阴极厚度分别为1.6和2.0 μm的两种透射式指数掺杂GaAs样品并进行了激活实验,测得样品的积分灵敏度分别为1228和1547μA/1m,两者的比值为79.6%.实验结果与仿真结果符合.

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