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二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

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严敏逸, 王旦清, 马忠元, 姚尧, 刘广元, 李伟, 黄信凡, 陈坤基, 徐骏, 徐岭. 2010: 二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用, 物理学报, 59(5): 3205-3209.
引用本文: 严敏逸, 王旦清, 马忠元, 姚尧, 刘广元, 李伟, 黄信凡, 陈坤基, 徐骏, 徐岭. 2010: 二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用, 物理学报, 59(5): 3205-3209.
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Yan Min-Yi, Wang Dan-Qing, Ma Zhong-Yuan, Yao Yao, Liu Guang-Yuan, Li Wei, Huang Xin-Fan, Chen Kun-Ji, Xu Jun, Xu Ling. 2010: Light intensity distribution in laser interference crystallization and the fabrication of two-dimensional periodic nanocrystalline silicon array, Acta Physica Sinica, 59(5): 3205-3209.
Citation: Yan Min-Yi, Wang Dan-Qing, Ma Zhong-Yuan, Yao Yao, Liu Guang-Yuan, Li Wei, Huang Xin-Fan, Chen Kun-Ji, Xu Jun, Xu Ling. 2010: Light intensity distribution in laser interference crystallization and the fabrication of two-dimensional periodic nanocrystalline silicon array, Acta Physica Sinica, 59(5): 3205-3209.
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二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

  • 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

Light intensity distribution in laser interference crystallization and the fabrication of two-dimensional periodic nanocrystalline silicon array

  • 摘要: 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400 nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-05-30

二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

  • 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

摘要: 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400 nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

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