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双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究

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徐勋卫, 刘念华. 2010: 双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究, 物理学报, 59(5): 3236-3243.
引用本文: 徐勋卫, 刘念华. 2010: 双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究, 物理学报, 59(5): 3236-3243.
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Xu Xun-Wei, Liu Nian-Hua. 2010: The dark lines in the spontaneous emission spectrum of a double V-type four-level atom in double-band photonic crystal, Acta Physica Sinica, 59(5): 3236-3243.
Citation: Xu Xun-Wei, Liu Nian-Hua. 2010: The dark lines in the spontaneous emission spectrum of a double V-type four-level atom in double-band photonic crystal, Acta Physica Sinica, 59(5): 3236-3243.
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双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究

  • 南昌大学物理系,南昌,330031

  • 南昌大学物理系,南昌,330031;南昌大学高等研究院,南昌,330031

The dark lines in the spontaneous emission spectrum of a double V-type four-level atom in double-band photonic crystal

  • 摘要: 研究了双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射的辐射谱.双V型四能级原子同时与真空热库和双带型光子晶体热库耦合.研究发现双V型四能级原子自发辐射谱中有三种不同原因可能引起的黑线:第一种是由于量子干涉效应;第二种是由于各向同性光子晶体带边处态密度具有奇异性;第三种是真空场中的量子干涉和光子晶体禁带内态密度为零共同作用的结果.通过移动光子晶体的带边位置,在各向同性光子晶体带边引入光滑因子,以及在光子晶体中引入缺陷等对这三种黑线的影响,对上述结果进行了分析和讨论.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-05-30

双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射谱中的黑线研究

  • 南昌大学物理系,南昌,330031
  • 南昌大学物理系,南昌,330031;南昌大学高等研究院,南昌,330031

摘要: 研究了双带型光子晶体中双V型四能级原子自发辐射的辐射谱.双V型四能级原子同时与真空热库和双带型光子晶体热库耦合.研究发现双V型四能级原子自发辐射谱中有三种不同原因可能引起的黑线:第一种是由于量子干涉效应;第二种是由于各向同性光子晶体带边处态密度具有奇异性;第三种是真空场中的量子干涉和光子晶体禁带内态密度为零共同作用的结果.通过移动光子晶体的带边位置,在各向同性光子晶体带边引入光滑因子,以及在光子晶体中引入缺陷等对这三种黑线的影响,对上述结果进行了分析和讨论.

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