光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控

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刘安金, 邢名欣, 渠红伟, 陈微, 周文君, 郑婉华. 2010: 光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控, 物理学报, 59(2): 1035-1039.
引用本文: 刘安金, 邢名欣, 渠红伟, 陈微, 周文君, 郑婉华. 2010: 光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控, 物理学报, 59(2): 1035-1039.
Liu An-Jin, Xing Ming-Xin, Qu Hong-Wei, Chen Wei, Zhou Wen-Jun, Zheng Wan-Hua. 2010: Control of the photonic crystal waveguide over the beam profile of vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 59(2): 1035-1039.
Citation: Liu An-Jin, Xing Ming-Xin, Qu Hong-Wei, Chen Wei, Zhou Wen-Jun, Zheng Wan-Hua. 2010: Control of the photonic crystal waveguide over the beam profile of vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 59(2): 1035-1039.

光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控

Control of the photonic crystal waveguide over the beam profile of vertical-cavity surface-emitting lasers

  • 摘要: 研究了光子晶体波导对垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束远场形貌的调控.采用三层对称平板波导模型分析了影响光子晶体VCSEL(PC-VCSEL)远场发散角的参数.研究表明,PC-VCSEL中光子晶体的填充比(空气孔直径和光子晶体周期的比值)以及空气孔的刻蚀深度控制了光束的发散角,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL有利于获得低发散角的光束.设计并制作了两种不同结构参数的PC-VCSEL,这两种器件中光子晶体的填充比和空气孔的刻蚀深度不同.实验结果表明,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL的发散角更低,与理论分析符合得很好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-02-28

光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控

  • 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京,100083

摘要: 研究了光子晶体波导对垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束远场形貌的调控.采用三层对称平板波导模型分析了影响光子晶体VCSEL(PC-VCSEL)远场发散角的参数.研究表明,PC-VCSEL中光子晶体的填充比(空气孔直径和光子晶体周期的比值)以及空气孔的刻蚀深度控制了光束的发散角,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL有利于获得低发散角的光束.设计并制作了两种不同结构参数的PC-VCSEL,这两种器件中光子晶体的填充比和空气孔的刻蚀深度不同.实验结果表明,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL的发散角更低,与理论分析符合得很好.

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