高级搜索

介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王巧占, 于润升, 秦秀波, 李玉晓, 王宝义, 贾全杰. 2009: 介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征, 物理学报, 58(12): 8478-8483. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.056
引用本文: 王巧占, 于润升, 秦秀波, 李玉晓, 王宝义, 贾全杰. 2009: 介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征, 物理学报, 58(12): 8478-8483. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.056
shu
Wang Qiao-Zhan, Yu Run-Sheng, Qin Xiu-Bo, Li Yu-Xiao, Wang Bao-Yi, Jia Quan-Jie. 2009: Pore structure determination of mesoporous SiO_2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(12): 8478-8483. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.056
Citation: Wang Qiao-Zhan, Yu Run-Sheng, Qin Xiu-Bo, Li Yu-Xiao, Wang Bao-Yi, Jia Quan-Jie. 2009: Pore structure determination of mesoporous SiO_2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(12): 8478-8483. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.056
shu

介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

  • 郑州大学物理工程学院,郑州,450001

  • 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049

Pore structure determination of mesoporous SiO_2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy

  • 摘要: 通过蒸发诱导白组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO_2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱.探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.
    Abstract: Mesoporous silica thin films with different pore shapes were prepared by evaporation induced self-assembly method. The synchrotron radiation x-ray reflectivity and slow positron annihilation techniques were used to characterize the pore structures. The results indicated that with increase of the spin-coating speed, the pore structure transformed from 3-D cubic to 2-D hexagonal, the average porosity also decreased. The correlation of the film structures and positron annihilation parameters was songht for with FT-IR spectroscopy and isotropic inorganic pore contraction model.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  504
  • HTML全文浏览数:  57
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-12-30

介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

  • 郑州大学物理工程学院,郑州,450001
  • 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049

摘要: 通过蒸发诱导白组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO_2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱.探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回