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沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

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岑态, 章岳光, 陈卫兰, 顾培夫. 2009: 沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响, 物理学报, 58(10): 7025-7029. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.058
引用本文: 岑态, 章岳光, 陈卫兰, 顾培夫. 2009: 沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响, 物理学报, 58(10): 7025-7029. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.058
shu
Cen Min, Zhang Yue-Guang, Chen Wei-Lan, Gu Pei-Fu. 2009: Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films, Acta Physica Sinica, 58(10): 7025-7029. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.058
Citation: Cen Min, Zhang Yue-Guang, Chen Wei-Lan, Gu Pei-Fu. 2009: Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films, Acta Physica Sinica, 58(10): 7025-7029. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.058
shu

沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

  • 复旦大学电光源与照明工程学系,上海,200433

  • 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027

Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films

  • 摘要: 采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用x射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

  • 复旦大学电光源与照明工程学系,上海,200433
  • 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027

摘要: 采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用x射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.

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