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考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

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朱樟明, 郝报田, 钱利波, 钟波, 杨银堂. 2009: 考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型, 物理学报, 58(10): 7130-7135. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.076
引用本文: 朱樟明, 郝报田, 钱利波, 钟波, 杨银堂. 2009: 考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型, 物理学报, 58(10): 7130-7135. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.076
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Zhu Zhang-Ming, Hao Bao-Tian, Qian Li-Bo, Zhong Bo, Yang Yin-Tang. 2009: A compact interconnect temperature distribution model considering the via effect and the heat fringing effect, Acta Physica Sinica, 58(10): 7130-7135. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.076
Citation: Zhu Zhang-Ming, Hao Bao-Tian, Qian Li-Bo, Zhong Bo, Yang Yin-Tang. 2009: A compact interconnect temperature distribution model considering the via effect and the heat fringing effect, Acta Physica Sinica, 58(10): 7130-7135. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.076
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考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

A compact interconnect temperature distribution model considering the via effect and the heat fringing effect

  • 摘要: 提出了同时考虑通孔效应和边缘传热效应的互连线温度分布模型,获得了适用于单层互连线和多层互连线温度分布的解析模型,并基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺参数计算了不同长度单层互连线和多层互连线的温度分布.对于单层互连线,考虑通孔效应后中低层互连线的温升非常低,而全局互连线几乎不受通孔效应的影响,温升仍然很高.对于多层互连线,最上层互连线的温升最高,温升和互连介质层厚度近似成正比,而且互连介质材料热导率越低,温升越高.所提出的互连线温度分布模型,能应用于纳米级CMOS计算机辅助设计.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

摘要: 提出了同时考虑通孔效应和边缘传热效应的互连线温度分布模型,获得了适用于单层互连线和多层互连线温度分布的解析模型,并基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺参数计算了不同长度单层互连线和多层互连线的温度分布.对于单层互连线,考虑通孔效应后中低层互连线的温升非常低,而全局互连线几乎不受通孔效应的影响,温升仍然很高.对于多层互连线,最上层互连线的温升最高,温升和互连介质层厚度近似成正比,而且互连介质材料热导率越低,温升越高.所提出的互连线温度分布模型,能应用于纳米级CMOS计算机辅助设计.

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