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生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

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刘启佳, 邵勇, 吴真龙, 徐洲, 徐峰, 刘斌, 谢自力, 陈鹏. 2009: 生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响, 物理学报, 58(10): 7194-7198. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.087
引用本文: 刘启佳, 邵勇, 吴真龙, 徐洲, 徐峰, 刘斌, 谢自力, 陈鹏. 2009: 生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响, 物理学报, 58(10): 7194-7198. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.087
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Liu Qi-Jia, Shao Yong, Wu Zhen-Long, Xu Zhou, Xu Feng, Liu Bin, Xie Zi-Li, Chen Peng. 2009: Influence of growth temperature on properties of AlGalnN quaternary epilayers, Acta Physica Sinica, 58(10): 7194-7198. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.087
Citation: Liu Qi-Jia, Shao Yong, Wu Zhen-Long, Xu Zhou, Xu Feng, Liu Bin, Xie Zi-Li, Chen Peng. 2009: Influence of growth temperature on properties of AlGalnN quaternary epilayers, Acta Physica Sinica, 58(10): 7194-7198. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.087
shu

生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

  • 南京大学扬州光电研究院,扬州,225009

  • 南京大学物理系,南京,210093

  • 南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;南京大学物理系,南京,210093

Influence of growth temperature on properties of AlGalnN quaternary epilayers

  • 摘要: 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高.合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使v型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

  • 南京大学扬州光电研究院,扬州,225009
  • 南京大学物理系,南京,210093
  • 南京大学扬州光电研究院,扬州,225009;南京大学物理系,南京,210093

摘要: 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高.合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使v型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.

English Abstract

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