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微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究

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彭文博, 刘石勇, 肖海波, 张长沙, 石明吉, 曾湘波, 徐艳月, 孔光临, 俞育德. 2009: 微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究, 物理学报, 58(8): 5716-5720. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.090
引用本文: 彭文博, 刘石勇, 肖海波, 张长沙, 石明吉, 曾湘波, 徐艳月, 孔光临, 俞育德. 2009: 微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究, 物理学报, 58(8): 5716-5720. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.090
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Peng Wen-Bo, Liu Shi-Yong, Xiao HaiBo, Zhang Chang-Sha, Shi Ming-Ji, Zeng Xiang-Bo, Xu Yan-Yue, Kong Guang-Lin, Yu Yu-De. 2009: Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films, Acta Physica Sinica, 58(8): 5716-5720. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.090
Citation: Peng Wen-Bo, Liu Shi-Yong, Xiao HaiBo, Zhang Chang-Sha, Shi Ming-Ji, Zeng Xiang-Bo, Xu Yan-Yue, Kong Guang-Lin, Yu Yu-De. 2009: Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films, Acta Physica Sinica, 58(8): 5716-5720. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.090
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微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究

  • 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083

  • 中国农业大学应用物理系,北京,100083

Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films

  • 摘要: 研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结构.薄膜带隙态密度分布由调制光电流的相移分析技术测得.采用三相模型(非晶相、晶相和界面相)分析了薄膜带隙态密度与薄膜微结构的关系.结果表明,材料的带隙态密度随着界面相的增加而增加,当界面体积分数达到最大时,薄膜的带隙态密度也最大,即材料的带隙态密度与界面体积分数正相关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究

  • 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083
  • 中国农业大学应用物理系,北京,100083

摘要: 研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结构.薄膜带隙态密度分布由调制光电流的相移分析技术测得.采用三相模型(非晶相、晶相和界面相)分析了薄膜带隙态密度与薄膜微结构的关系.结果表明,材料的带隙态密度随着界面相的增加而增加,当界面体积分数达到最大时,薄膜的带隙态密度也最大,即材料的带隙态密度与界面体积分数正相关.

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