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ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

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成鹏飞, 李盛涛, 李建英. 2009: ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究, 物理学报, 58(8): 5721-5725. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.091
引用本文: 成鹏飞, 李盛涛, 李建英. 2009: ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究, 物理学报, 58(8): 5721-5725. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.091
shu
Cheng Peng-Fei, Li Sheng-Tao, Li Jian-Ying. 2009: Dielectric loss of ZnO varistor ceramics by variable temperature spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(8): 5721-5725. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.091
Citation: Cheng Peng-Fei, Li Sheng-Tao, Li Jian-Ying. 2009: Dielectric loss of ZnO varistor ceramics by variable temperature spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(8): 5721-5725. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.091
shu

ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

  • 西安工程大学理学院,西安,710048

  • 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

Dielectric loss of ZnO varistor ceramics by variable temperature spectroscopy

  • 摘要: 利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100-20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi2 O3系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10-2-106 Hz.研究表明:ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流(TSC)谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰.在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

  • 西安工程大学理学院,西安,710048
  • 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

摘要: 利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100-20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi2 O3系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10-2-106 Hz.研究表明:ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流(TSC)谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰.在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程.

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