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LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

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程萍, 张玉明, 郭辉, 张义门, 廖宇龙. 2009: LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性, 物理学报, 58(6): 4214-4218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.094
引用本文: 程萍, 张玉明, 郭辉, 张义门, 廖宇龙. 2009: LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性, 物理学报, 58(6): 4214-4218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.094
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Cheng Ping, Zhang Yu-Ming, Guo Hui, Zhang Yi-Men, Liao Yu-Long. 2009: ESR characteristics of high-quality semi-insulating 4H-SiC crystal prepared by LPCVD, Acta Physica Sinica, 58(6): 4214-4218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.094
Citation: Cheng Ping, Zhang Yu-Ming, Guo Hui, Zhang Yi-Men, Liao Yu-Long. 2009: ESR characteristics of high-quality semi-insulating 4H-SiC crystal prepared by LPCVD, Acta Physica Sinica, 58(6): 4214-4218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.094
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LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

ESR characteristics of high-quality semi-insulating 4H-SiC crystal prepared by LPCVD

  • 摘要: 利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-06-30

LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.

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