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p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

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邢海英, 范广涵, 周天明. 2009: p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质, 物理学报, 58(5): 3324-3330. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.071
引用本文: 邢海英, 范广涵, 周天明. 2009: p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质, 物理学报, 58(5): 3324-3330. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.071
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Xing Hai-Ying, Fan Guang-Han, Zhou Tian-Ming. 2009: Electronic and magnetic properties of p,n type dopant and Mn co-doped GaN, Acta Physica Sinica, 58(5): 3324-3330. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.071
Citation: Xing Hai-Ying, Fan Guang-Han, Zhou Tian-Ming. 2009: Electronic and magnetic properties of p,n type dopant and Mn co-doped GaN, Acta Physica Sinica, 58(5): 3324-3330. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.071
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p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

  • 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631

Electronic and magnetic properties of p,n type dopant and Mn co-doped GaN

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg＼Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si＼O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

  • 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg＼Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si＼O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.

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