SiC纳米棒的紫外发光研究

金华; 卜凡亮; 王蓉; 李丽华; 杨为佑; 张立功; 安立楠

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.072

物理学报

SiC纳米棒的紫外发光研究

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金华, 卜凡亮, 王蓉, 李丽华, 杨为佑, 张立功, 安立楠. 2009: SiC纳米棒的紫外发光研究, 物理学报, 58(4): 2594-2598. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.072

引用本文:

金华, 卜凡亮, 王蓉, 李丽华, 杨为佑, 张立功, 安立楠. 2009: SiC纳米棒的紫外发光研究, 物理学报, 58(4): 2594-2598. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.072

Jin Hua, Bu Fan-Liang, Wang Rong, Li Li-Hua, Yang Wei-You, Zhang Li-Gong, An Li-Nan. 2009: Study of ultraviolet photoluminescence from SiC nanorods, Acta Physica Sinica, 58(4): 2594-2598. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.072

Citation:

Jin Hua, Bu Fan-Liang, Wang Rong, Li Li-Hua, Yang Wei-You, Zhang Li-Gong, An Li-Nan. 2009: Study of ultraviolet photoluminescence from SiC nanorods, Acta Physica Sinica, 58(4): 2594-2598. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.072

SiC纳米棒的紫外发光研究

中国人民公安大学安全防范系,北京,102416
清华大学材料科学与工程系,北京,100083
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033

Study of ultraviolet photoluminescence from SiC nanorods

摘要: 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378 nm(3.3 eV) 强紫外发射. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错. 利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光.
- 碳化硅 /
- 纳米棒 /
- 光致发光

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SiC纳米棒的紫外发光研究

中国人民公安大学安全防范系,北京,102416
清华大学材料科学与工程系,北京,100083
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033

关键词:

碳化硅 /
纳米棒 /
光致发光

摘要: 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378 nm(3.3 eV) 强紫外发射. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错. 利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光.