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一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

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朱樟明, 钱利波, 杨银堂. 2009: 一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型, 物理学报, 58(4): 2631-2636. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.078
引用本文: 朱樟明, 钱利波, 杨银堂. 2009: 一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型, 物理学报, 58(4): 2631-2636. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.078
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Zhu Zhang-Ming, Qian Li-Bo, Yang Yin-Tang. 2009: A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology, Acta Physica Sinica, 58(4): 2631-2636. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.078
Citation: Zhu Zhang-Ming, Qian Li-Bo, Yang Yin-Tang. 2009: A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology, Acta Physica Sinica, 58(4): 2631-2636. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.078
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一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology

  • 摘要: 基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

摘要: 基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.

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