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超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究

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朱亦鸣, 贾晓轩, 陈麟, 张大伟, 黄元申, 何波涌, 庄松林, Kaz Hirakawa. 2009: 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究, 物理学报, 58(4): 2692-2696. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.088
引用本文: 朱亦鸣, 贾晓轩, 陈麟, 张大伟, 黄元申, 何波涌, 庄松林, Kaz Hirakawa. 2009: 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究, 物理学报, 58(4): 2692-2696. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.088
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Zhu Yi-Ming, Jia Xiao-Xuan, Chen Lin, Zhang Da-Wei, Huang Yuan-Shen, He Bo-Yong, Zhuang Song-Lin, Kaz Hirakawa. 2009: Terahertz power dissipation spectra of electrons in bulk GaAs under high electric fields at low temperature, Acta Physica Sinica, 58(4): 2692-2696. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.088
Citation: Zhu Yi-Ming, Jia Xiao-Xuan, Chen Lin, Zhang Da-Wei, Huang Yuan-Shen, He Bo-Yong, Zhuang Song-Lin, Kaz Hirakawa. 2009: Terahertz power dissipation spectra of electrons in bulk GaAs under high electric fields at low temperature, Acta Physica Sinica, 58(4): 2692-2696. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.088
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超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究

  • 上海理工大学上海市现代光学重点实验室,上海,200093;上海交通大学微电子学院,上海,200240;日本东京大学生产技术研究所,东京都,153-8505

  • 上海理工大学上海市现代光学重点实验室,上海,200093

  • 上海交通大学微电子学院,上海,200240

  • 日本东京大学生产技术研究所,东京都,153-8505

Terahertz power dissipation spectra of electrons in bulk GaAs under high electric fields at low temperature

  • 摘要: 利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50 kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50 kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750 GHz(10 K)附近饱和.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究

  • 上海理工大学上海市现代光学重点实验室,上海,200093;上海交通大学微电子学院,上海,200240;日本东京大学生产技术研究所,东京都,153-8505
  • 上海理工大学上海市现代光学重点实验室,上海,200093
  • 上海交通大学微电子学院,上海,200240
  • 日本东京大学生产技术研究所,东京都,153-8505

摘要: 利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50 kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50 kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750 GHz(10 K)附近饱和.

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