掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

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李会峰, 黄运华, 张跃, 高祥熙, 赵婧, 王建. 2009: 掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究, 物理学报, 58(4): 2702-2706. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.090
引用本文: 李会峰, 黄运华, 张跃, 高祥熙, 赵婧, 王建. 2009: 掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究, 物理学报, 58(4): 2702-2706. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.090
Li Hui-Feng, Huang Yun-Hua, Zhang Yue, Gao Xiang-Xi, Zhao Jing, Wang Jian. 2009: Fabrication and characterization of In-doped zinc oxide nanoarrays, Acta Physica Sinica, 58(4): 2702-2706. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.090
Citation: Li Hui-Feng, Huang Yun-Hua, Zhang Yue, Gao Xiang-Xi, Zhao Jing, Wang Jian. 2009: Fabrication and characterization of In-doped zinc oxide nanoarrays, Acta Physica Sinica, 58(4): 2702-2706. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.090

掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

Fabrication and characterization of In-doped zinc oxide nanoarrays

  • 摘要: 通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400 nm,长为2-3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

  • 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083
  • 北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083
  • 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083;北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083

摘要: 通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400 nm,长为2-3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.

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