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氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

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陈静, 金国钧, 马余强. 2009: 氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响, 物理学报, 58(4): 2707-2712. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.091
引用本文: 陈静, 金国钧, 马余强. 2009: 氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响, 物理学报, 58(4): 2707-2712. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.091
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Chen Jing, Jin Guo-Jun, Ma Yu-Qiang. 2009: Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductor, Acta Physica Sinica, 58(4): 2707-2712. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.091
Citation: Chen Jing, Jin Guo-Jun, Ma Yu-Qiang. 2009: Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductor, Acta Physica Sinica, 58(4): 2707-2712. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.091
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氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

  • 南京大学物理系,南京,210093;淮阴师范学院物理系,淮安,223001

  • 南京大学物理系,南京,210093

Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductor

  • 摘要: 从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

  • 南京大学物理系,南京,210093;淮阴师范学院物理系,淮安,223001
  • 南京大学物理系,南京,210093

摘要: 从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.

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