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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

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汤晓燕, 张义门, 张玉明. 2009: SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压, 物理学报, 58(1): 494-497. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.077
引用本文: 汤晓燕, 张义门, 张玉明. 2009: SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压, 物理学报, 58(1): 494-497. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.077
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Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming. 2009: The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET, Acta Physica Sinica, 58(1): 494-497. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.077
Citation: Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming. 2009: The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET, Acta Physica Sinica, 58(1): 494-497. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.077
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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,110071

The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET

  • 摘要: SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,110071

摘要: SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.

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