Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究
The local structure and charge transfer properties of Co-doped ZnO thin films
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摘要: 采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法在不同的氧气分压下制备了Zn0.95Co0.05O和Zno0.94Co0.05Al0.01O薄膜.利用X射线吸收精细结构技术对薄膜O-K,Co-K和Co-L边进行了局域结构研究,结果表明:Co2+取代了四配位晶体场中的Zn2+而未改变ZnO的六方纤锌矿结构,高真空条件下制备的薄膜具有较多的氧空位缺陷.利用共振非弹性X射线散射研究了薄膜Co-L和O-K边电荷转移情况,结果表明:Zn0.94Co0.05Al0.01O薄膜中Co-3d与传导电子之间的电荷转移强度明显强于Zn0.95Co0.05薄膜,在较低氧气分压下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的电荷转移强度强于高氧气分压下制备的薄膜.
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关键词:
- Co掺杂ZnO /
- 稀磁半导体 /
- x射线吸收精细结构 /
- 共振非弹性X射线散射
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