高级搜索

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃. 2009: Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究, 物理学报, 58(1): 536-540. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.084
引用本文: 刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃. 2009: Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究, 物理学报, 58(1): 536-540. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.084
shu
Liu Lin-Jie, Yue Yuan-Zheng, Zhang Jin-Cheng, Ma Xiao-Hua, Dong Zuo-Dian, Hao Yue. 2009: Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-H EMT with A12O3 gate dielectric, Acta Physica Sinica, 58(1): 536-540. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.084
Citation: Liu Lin-Jie, Yue Yuan-Zheng, Zhang Jin-Cheng, Ma Xiao-Hua, Dong Zuo-Dian, Hao Yue. 2009: Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-H EMT with A12O3 gate dielectric, Acta Physica Sinica, 58(1): 536-540. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.084
shu

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

  • 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071

Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-H EMT with A12O3 gate dielectric

  • 摘要: 采用原子层淀积(ALD)实现了10 nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30-180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  405
  • HTML全文浏览数:  76
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

  • 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071

摘要: 采用原子层淀积(ALD)实现了10 nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30-180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回