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引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

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邢艳辉, 邓军, 韩军, 李建军, 沈光地. 2009: 引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究, 物理学报, 58(1): 590-595. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094
引用本文: 邢艳辉, 邓军, 韩军, 李建军, 沈光地. 2009: 引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究, 物理学报, 58(1): 590-595. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094
shu
Xing Yan-Hui, Deng Jun, Han Jun, Li Jian-Jun, Shen Guang-Di. 2009: Improving the quantum well properties with n-type InGaN/GaN superlattices layer, Acta Physica Sinica, 58(1): 590-595. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094
Citation: Xing Yan-Hui, Deng Jun, Han Jun, Li Jian-Jun, Shen Guang-Di. 2009: Improving the quantum well properties with n-type InGaN/GaN superlattices layer, Acta Physica Sinica, 58(1): 590-595. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094
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引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

  • 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124

Improving the quantum well properties with n-type InGaN/GaN superlattices layer

  • 摘要: 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

  • 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124

摘要: 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.

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