基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

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艾凌艳, 杨健, 张智明. 2008: 基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门, 物理学报, 57(9): 5589-5592. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.038
引用本文: 艾凌艳, 杨健, 张智明. 2008: 基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门, 物理学报, 57(9): 5589-5592. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.038
2008: Generation of C-NOT gate,swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap, Acta Physica Sinica, 57(9): 5589-5592. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.038
Citation: 2008: Generation of C-NOT gate,swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap, Acta Physica Sinica, 57(9): 5589-5592. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.038

基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

Generation of C-NOT gate,swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap

  • 摘要: 研究了二维闪禁离子与光场相互作用系统中几种基本量子逻辑门的实现方案.通过适当选取激光场与离子内部跃迁频率的失谐量,简化了系统的哈密顿量,并进一步推导出受控非门(C-NOT 门)、交换门与相位门的实现方法.在此过程中,系统需满足Lamb-Dicke极限,并要求光场的Rabi振荡频率远远小于离子的振动频率.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

  • 华南师范大学信息光电子科技学院,光子信息技术广东省高校重点实验室,广州,520006

摘要: 研究了二维闪禁离子与光场相互作用系统中几种基本量子逻辑门的实现方案.通过适当选取激光场与离子内部跃迁频率的失谐量,简化了系统的哈密顿量,并进一步推导出受控非门(C-NOT 门)、交换门与相位门的实现方法.在此过程中,系统需满足Lamb-Dicke极限,并要求光场的Rabi振荡频率远远小于离子的振动频率.

English Abstract

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