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脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究

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翁卫祥, 闫文盛, 孙治湖, 姚涛, 郭玉献, 王峰, 韦世强, 张国斌, 徐彭寿. 2008: 脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究, 物理学报, 57(9): 5788-5792. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.069
引用本文: 翁卫祥, 闫文盛, 孙治湖, 姚涛, 郭玉献, 王峰, 韦世强, 张国斌, 徐彭寿. 2008: 脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究, 物理学报, 57(9): 5788-5792. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.069
shu
2008: Structural and magnetic properties of Ni1-x FexO thin films synthesized by pulsed laser deposition, Acta Physica Sinica, 57(9): 5788-5792. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.069
Citation: 2008: Structural and magnetic properties of Ni1-x FexO thin films synthesized by pulsed laser deposition, Acta Physica Sinica, 57(9): 5788-5792. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.069
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脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

Structural and magnetic properties of Ni1-x FexO thin films synthesized by pulsed laser deposition

  • 摘要: 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-1-xFexO(x=0.02,O.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni,1-xFexO的品体结构为Nacl结构,并且在Fe含量较高的Ni095Fe0.05O中出现了少量的a-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANFS)和X射线光电子能谱(XPs)进一步表明了掺杂的Fe原子替代Ni0日格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

摘要: 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-1-xFexO(x=0.02,O.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni,1-xFexO的品体结构为Nacl结构,并且在Fe含量较高的Ni095Fe0.05O中出现了少量的a-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANFS)和X射线光电子能谱(XPs)进一步表明了掺杂的Fe原子替代Ni0日格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.

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