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非晶SnO2:(Cu,In)薄膜的荧光特性及带尾态

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张治国. 2008: 非晶SnO2:(Cu,In)薄膜的荧光特性及带尾态, 物理学报, 57(9): 5823-5827. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.075
引用本文: 张治国. 2008: 非晶SnO2:(Cu,In)薄膜的荧光特性及带尾态, 物理学报, 57(9): 5823-5827. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.075
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2008: Photoluminescence and tail states of amorphous SnO2:(Cu,In)film, Acta Physica Sinica, 57(9): 5823-5827. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.075
Citation: 2008: Photoluminescence and tail states of amorphous SnO2:(Cu,In)film, Acta Physica Sinica, 57(9): 5823-5827. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.075
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非晶SnO2:(Cu,In)薄膜的荧光特性及带尾态

  • 泉州师范学院理工学院,泉州,362000

    • 通讯作者: 张治国

Photoluminescence and tail states of amorphous SnO2:(Cu,In)film

    Corresponding author:

  • 摘要: 用反应蒸发法在玻璃等衬底上制备出铜和铟掺杂的氧化锡SnO2:(Cu,In)薄膜.对制备薄膜的发光性质做了研究,制备样品为非晶态,具无定形结构.测量了薄膜在220-1100 nm范围的透过率,得到的带隙宽度Eopt g=4.645 eV.室温条件下对样品进行光致发光测量,得到了显著的紫外(276-550 nm)蓝绿光连续谱,通过发光谱的研究给出了这种材料的隙态分布.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

非晶SnO2:(Cu,In)薄膜的荧光特性及带尾态

    通讯作者: 张治国
  • 泉州师范学院理工学院,泉州,362000

摘要: 用反应蒸发法在玻璃等衬底上制备出铜和铟掺杂的氧化锡SnO2:(Cu,In)薄膜.对制备薄膜的发光性质做了研究,制备样品为非晶态,具无定形结构.测量了薄膜在220-1100 nm范围的透过率,得到的带隙宽度Eopt g=4.645 eV.室温条件下对样品进行光致发光测量,得到了显著的紫外(276-550 nm)蓝绿光连续谱,通过发光谱的研究给出了这种材料的隙态分布.

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