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掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

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符秀丽, 唐为华, 彭志坚. 2008: 掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响, 物理学报, 57(9): 5844-5852. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.079
引用本文: 符秀丽, 唐为华, 彭志坚. 2008: 掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响, 物理学报, 57(9): 5844-5852. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.079
shu
2008: Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor, Acta Physica Sinica, 57(9): 5844-5852. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.079
Citation: 2008: Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor, Acta Physica Sinica, 57(9): 5844-5852. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.079
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掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

  • 北京邮电大学理学院,北京,100876

  • 浙江理上大学光电材料与器件中心,杭州,310018

  • 中国地质大学(北京)工程技术学院,北京,100083

Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor

  • 摘要: 根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

  • 北京邮电大学理学院,北京,100876
  • 浙江理上大学光电材料与器件中心,杭州,310018
  • 中国地质大学(北京)工程技术学院,北京,100083

摘要: 根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小.

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