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ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

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胡玥, 饶海波, 李君飞. 2008: ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟, 物理学报, 57(9): 5928-5932. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.093
引用本文: 胡玥, 饶海波, 李君飞. 2008: ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟, 物理学报, 57(9): 5928-5932. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.093
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2008: Numerical model of ITO/organic semiconductor/metal organic light emitting device, Acta Physica Sinica, 57(9): 5928-5932. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.093
Citation: 2008: Numerical model of ITO/organic semiconductor/metal organic light emitting device, Acta Physica Sinica, 57(9): 5928-5932. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.093
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ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

  • 电子科技大学光电信息学院,成都,610054

Numerical model of ITO/organic semiconductor/metal organic light emitting device

  • 摘要: 基于稳态的小信号漂移扩散方程,建立了有电极的单层有机电致发光(OLED)器件的数值模型,编制的MATLAB程序,首先模拟了文献中的OLED器件电极附近正电荷层(面电荷)对器件J-V的影响,得到了和文献中一致的结果.模拟了ITO/PPV/Ca结构的OLED器件,模拟时,考虑了OLED阳极附近存在正体电荷,得到的J-V曲线和文献中的实验结果一致,体电荷产生了势垒,影响了电流曲线.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-30

ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

  • 电子科技大学光电信息学院,成都,610054

摘要: 基于稳态的小信号漂移扩散方程,建立了有电极的单层有机电致发光(OLED)器件的数值模型,编制的MATLAB程序,首先模拟了文献中的OLED器件电极附近正电荷层(面电荷)对器件J-V的影响,得到了和文献中一致的结果.模拟了ITO/PPV/Ca结构的OLED器件,模拟时,考虑了OLED阳极附近存在正体电荷,得到的J-V曲线和文献中的实验结果一致,体电荷产生了势垒,影响了电流曲线.

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