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SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究

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马格林, 张玉明, 张义门, 马仲发. 2008: SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究, 物理学报, 57(7): 4125-4129.
引用本文: 马格林, 张玉明, 张义门, 马仲发. 2008: SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究, 物理学报, 57(7): 4125-4129.
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2008: The study of optimal fitting parameter for C 1s spectra of SiC surface, Acta Physica Sinica, 57(7): 4125-4129.
Citation: 2008: The study of optimal fitting parameter for C 1s spectra of SiC surface, Acta Physica Sinica, 57(7): 4125-4129.
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SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

The study of optimal fitting parameter for C 1s spectra of SiC surface

  • 摘要: 提出了一种新的,用末限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C 1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C 1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C 1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

摘要: 提出了一种新的,用末限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C 1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C 1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C 1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.

English Abstract

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