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基于graphene条带的硅纳米结构

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李爱华, 张凯旺, 孟利军, 李俊, 刘文亮, 钟建新. 2008: 基于graphene条带的硅纳米结构, 物理学报, 57(7): 4356-4363.
引用本文: 李爱华, 张凯旺, 孟利军, 李俊, 刘文亮, 钟建新. 2008: 基于graphene条带的硅纳米结构, 物理学报, 57(7): 4356-4363.
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2008: Novel silicon nanostructures based on graphene ribbons, Acta Physica Sinica, 57(7): 4356-4363.
Citation: 2008: Novel silicon nanostructures based on graphene ribbons, Acta Physica Sinica, 57(7): 4356-4363.
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基于graphene条带的硅纳米结构

  • 湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105

Novel silicon nanostructures based on graphene ribbons

  • 摘要: 采用分子动力学模拟方法研究了graphene条带上生长硅纳米结构的过程,分析了不同温度下硅原子在graphene条带边滑生成的新型纳米结构.研究表明,随机分布的硅原子吸附到锯齿型graphene条带边沿在不同的温度T下可生成不同类型的硅纳米结构:300 K≤T＜2000 K时形成无规则的团簇,2000 K≤T≤2800 K时形成单原子链结构,2800K＜T＜3900 K时形成含缺陷的硅链结构,T≥3900 K时硅原子逐渐替代条带边沿的碳原子直至graphene条带破坏.而硅原子吸附纠扶手椅型graphene条带边沿在300 K≤T＜3000 K内仅能形成非链状的不定型的硅纳米结构.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

基于graphene条带的硅纳米结构

  • 湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105

摘要: 采用分子动力学模拟方法研究了graphene条带上生长硅纳米结构的过程,分析了不同温度下硅原子在graphene条带边滑生成的新型纳米结构.研究表明,随机分布的硅原子吸附到锯齿型graphene条带边沿在不同的温度T下可生成不同类型的硅纳米结构:300 K≤T＜2000 K时形成无规则的团簇,2000 K≤T≤2800 K时形成单原子链结构,2800K＜T＜3900 K时形成含缺陷的硅链结构,T≥3900 K时硅原子逐渐替代条带边沿的碳原子直至graphene条带破坏.而硅原子吸附纠扶手椅型graphene条带边沿在300 K≤T＜3000 K内仅能形成非链状的不定型的硅纳米结构.

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