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4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系

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贾仁需, 张义门, 张玉明, 郭辉, 栾苏珍. 2008: 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系, 物理学报, 57(7): 4456-4458.
引用本文: 贾仁需, 张义门, 张玉明, 郭辉, 栾苏珍. 2008: 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系, 物理学报, 57(7): 4456-4458.
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2008: The relation between Green-band luminescence of 4H-SiC homoepitaxial layer and defects, Acta Physica Sinica, 57(7): 4456-4458.
Citation: 2008: The relation between Green-band luminescence of 4H-SiC homoepitaxial layer and defects, Acta Physica Sinica, 57(7): 4456-4458.
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4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

The relation between Green-band luminescence of 4H-SiC homoepitaxial layer and defects

  • 摘要: 利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电了谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(Vc)及络合体缺陷相关,Vc和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的Vc及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.
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出版历程

4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电了谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(Vc)及络合体缺陷相关,Vc和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的Vc及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.

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