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退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

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宋红强, 王勇, 颜世申, 梅良模, 张泽. 2008: 退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响, 物理学报, 57(7): 4534-4538.
引用本文: 宋红强, 王勇, 颜世申, 梅良模, 张泽. 2008: 退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响, 物理学报, 57(7): 4534-4538.
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2008: Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor, Acta Physica Sinica, 57(7): 4534-4538.
Citation: 2008: Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor, Acta Physica Sinica, 57(7): 4534-4538.
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退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

  • 山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海,264209;山东大学物理与微电子学院,济南,250100

  • 中国科学院物理研究所,北京,100190;澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100

  • 北京工业大学,北京,100022

Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor

  • 摘要: 利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

  • 山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海,264209;山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 中国科学院物理研究所,北京,100190;澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚
  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 北京工业大学,北京,100022

摘要: 利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.

English Abstract

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