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p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

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周梅, 赵德刚. 2008: p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响, 物理学报, 57(7): 4570-4574.
引用本文: 周梅, 赵德刚. 2008: p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响, 物理学报, 57(7): 4570-4574.
shu
2008: Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors, Acta Physica Sinica, 57(7): 4570-4574.
Citation: 2008: Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors, Acta Physica Sinica, 57(7): 4570-4574.
shu

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

  • 中国农业大学理学院应用物理系,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors

  • 摘要: 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响,模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流,进一步的分析表明,金属和p-GaN之问的结电场是出现这种现象的根本原因,在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

  • 中国农业大学理学院应用物理系,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

摘要: 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响,模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流,进一步的分析表明,金属和p-GaN之问的结电场是出现这种现象的根本原因,在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.

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