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4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法

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吕红亮, 张义门, 张玉明, 车勇, 王悦湖, 陈亮. 2008: 4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法, 物理学报, 57(5): 2871-2874. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.039
引用本文: 吕红亮, 张义门, 张玉明, 车勇, 王悦湖, 陈亮. 2008: 4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法, 物理学报, 57(5): 2871-2874. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.039
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Lü Hong-Liang, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Che Yong, Wang Yue-Hu, Chen Liang. 2008: The extraction method for trap parameters in 4H-SiC MESFETs, Acta Physica Sinica, 57(5): 2871-2874. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.039
Citation: Lü Hong-Liang, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Che Yong, Wang Yue-Hu, Chen Liang. 2008: The extraction method for trap parameters in 4H-SiC MESFETs, Acta Physica Sinica, 57(5): 2871-2874. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.039
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4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法

  • 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071

  • 武警工程学院军械运输系,西安,710086

The extraction method for trap parameters in 4H-SiC MESFETs

  • 摘要: 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法

  • 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071
  • 武警工程学院军械运输系,西安,710086

摘要: 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.

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