高级搜索

采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究

, 

downloadPDF

上一篇

下一篇

周耐根, 周浪. 2008: 采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究, 物理学报, 57(5): 3064-3070. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.071
引用本文: 周耐根, 周浪. 2008: 采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究, 物理学报, 57(5): 3064-3070. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.071
shu
Zhou Nai-Gen, Zhou Lang. 2008: Prevention of misfit dislocations by using nano pillar crystal array substrates, Acta Physica Sinica, 57(5): 3064-3070. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.071
Citation: Zhou Nai-Gen, Zhou Lang. 2008: Prevention of misfit dislocations by using nano pillar crystal array substrates, Acta Physica Sinica, 57(5): 3064-3070. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.071
shu

采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究

  • 南昌大学材料科学与工程学院,高等研究院,南昌,330031

Prevention of misfit dislocations by using nano pillar crystal array substrates

  • 摘要: 运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果表明:采用纳米晶柱阵列衬底可以在不形成失配位错的条件下释放其上生长的外延薄膜晶体中的失配应变,有效地抑制其中失配位错的形成,获得高质量的外延薄膜晶体;这种纳米晶柱阵列的几何设计应满足两个基本条件:1)晶柱的横截面尺寸应大于对应温度下的晶柱热失稳临界尺寸,以克服纳米结构的热失稳,模拟显示700K下铝的热失稳临界尺寸为1.9nm;2)晶柱的高度与间距之比应大于0.76,以保证晶柱间"沟底"部分生长的低质量的薄膜被完全遮蔽而停止生长,并且相邻晶柱上的外延层能够互相桥连形成无失配位错、高质量的薄膜晶体.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  645
  • HTML全文浏览数:  223
  • PDF下载数:  25
  • 施引文献:  0
出版历程

采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究

  • 南昌大学材料科学与工程学院,高等研究院,南昌,330031

摘要: 运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果表明:采用纳米晶柱阵列衬底可以在不形成失配位错的条件下释放其上生长的外延薄膜晶体中的失配应变,有效地抑制其中失配位错的形成,获得高质量的外延薄膜晶体;这种纳米晶柱阵列的几何设计应满足两个基本条件:1)晶柱的横截面尺寸应大于对应温度下的晶柱热失稳临界尺寸,以克服纳米结构的热失稳,模拟显示700K下铝的热失稳临界尺寸为1.9nm;2)晶柱的高度与间距之比应大于0.76,以保证晶柱间"沟底"部分生长的低质量的薄膜被完全遮蔽而停止生长,并且相邻晶柱上的外延层能够互相桥连形成无失配位错、高质量的薄膜晶体.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回