高级搜索

强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

关庆丰, 陈波, 张庆瑜, 董闯, 邹广田. 2008: 强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体, 物理学报, 57(1): 392-397. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.061
引用本文: 关庆丰, 陈波, 张庆瑜, 董闯, 邹广田. 2008: 强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体, 物理学报, 57(1): 392-397. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.061
shu
Guan Qing-Feng, Chen Bo, Zhang Qing-Yu, Dong Chuang, Zou Guang-Tian. 2008: Stacking fault tetrahedra in single-crystal aluminum induced by high-current pulsed electron beam, Acta Physica Sinica, 57(1): 392-397. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.061
Citation: Guan Qing-Feng, Chen Bo, Zhang Qing-Yu, Dong Chuang, Zou Guang-Tian. 2008: Stacking fault tetrahedra in single-crystal aluminum induced by high-current pulsed electron beam, Acta Physica Sinica, 57(1): 392-397. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.061
shu

强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体

  • 江苏大学材料学院,镇江,212013;吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012

  • 中国科学院长春光学精密机械及物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033

  • 大连理工大学三束材料国家重点实验室,大连,116024

  • 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012

Stacking fault tetrahedra in single-crystal aluminum induced by high-current pulsed electron beam

  • 摘要: 利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  704
  • HTML全文浏览数:  46
  • PDF下载数:  66
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-30

强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体

  • 江苏大学材料学院,镇江,212013;吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012
  • 中国科学院长春光学精密机械及物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033
  • 大连理工大学三束材料国家重点实验室,大连,116024
  • 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012

摘要: 利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回