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F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

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徐剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁. 2007: F掺杂SnO2电子结构的模拟计算, 物理学报, 56(12): 7195-7200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.064
引用本文: 徐剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁. 2007: F掺杂SnO2电子结构的模拟计算, 物理学报, 56(12): 7195-7200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.064
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Xu Jian, Huang Shui-Ping, Wang Zhan-Shan, Lu Da-Xue, Yuan Tong-Suo. 2007: Simulative calculation of electronic structure of F-doped SnO2, Acta Physica Sinica, 56(12): 7195-7200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.064
Citation: Xu Jian, Huang Shui-Ping, Wang Zhan-Shan, Lu Da-Xue, Yuan Tong-Suo. 2007: Simulative calculation of electronic structure of F-doped SnO2, Acta Physica Sinica, 56(12): 7195-7200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.064
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F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

  • 同济大学物理系,精密光学工程技术研究所,上海,200092

  • 中国耀华玻璃集团公司,秦皇岛,066013

Simulative calculation of electronic structure of F-doped SnO2

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.
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出版历程

F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

  • 同济大学物理系,精密光学工程技术研究所,上海,200092
  • 中国耀华玻璃集团公司,秦皇岛,066013

摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

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