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大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

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马丽, 高勇, 刘静, 王彩琳. 2007: 大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管, 物理学报, 56(12): 7236-7241. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.071
引用本文: 马丽, 高勇, 刘静, 王彩琳. 2007: 大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管, 物理学报, 56(12): 7236-7241. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.071
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Ma Li, Gao Yong, Liu Jing, Wang Cai-Lin. 2007: High-power low-loss fast and soft recovery SiGeC switching power diodes, Acta Physica Sinica, 56(12): 7236-7241. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.071
Citation: Ma Li, Gao Yong, Liu Jing, Wang Cai-Lin. 2007: High-power low-loss fast and soft recovery SiGeC switching power diodes, Acta Physica Sinica, 56(12): 7236-7241. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.071
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大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

  • 西安理工大学应用物理系,西安,710048

  • 西安理工大学电子工程系,西安,710048

High-power low-loss fast and soft recovery SiGeC switching power diodes

  • 摘要: 为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,有效降低了器件的通态功耗;反向恢复时间缩短了一半多,反向峰值电流降低了约25%,软度因子提高了1.3倍,而反向阻断电压和反向漏电流基本不发生变化.研究发现,Ge和C的含量是影响p+(SiGeC)-n--n+二极管特性的重要参数,这为器件结构设计提供了更大的自由度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-12-30

大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

  • 西安理工大学应用物理系,西安,710048
  • 西安理工大学电子工程系,西安,710048

摘要: 为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,有效降低了器件的通态功耗;反向恢复时间缩短了一半多,反向峰值电流降低了约25%,软度因子提高了1.3倍,而反向阻断电压和反向漏电流基本不发生变化.研究发现,Ge和C的含量是影响p+(SiGeC)-n--n+二极管特性的重要参数,这为器件结构设计提供了更大的自由度.

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