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基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

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张辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏龙. 2007: 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响, 物理学报, 56(12): 7255-7261. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.074
引用本文: 张辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏龙. 2007: 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响, 物理学报, 56(12): 7255-7261. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.074
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Zhang Hui, Liu Ying-Shu, Liu Wen-Hai, Wang Bao-Yi, Wei Long. 2007: The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 56(12): 7255-7261. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.074
Citation: Zhang Hui, Liu Ying-Shu, Liu Wen-Hai, Wang Bao-Yi, Wei Long. 2007: The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 56(12): 7255-7261. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.074
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基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

  • 北京科技大学机械工程学院,北京,100083;中国科学院高能物理研究所,北京,100049

  • 北京科技大学机械工程学院,北京,100083

  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100049

The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering

  • 摘要: 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提高,晶粒逐渐长大,钒被氧化为高价态,但此时薄膜中高键能态氧降低.较高的基片温度和氧分压有利于薄膜中晶粒的生长;低氧分压不利于钒的氧化,高氧分压可以将钒氧化为高价态,同时,氧高键能态降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-12-30

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

  • 北京科技大学机械工程学院,北京,100083;中国科学院高能物理研究所,北京,100049
  • 北京科技大学机械工程学院,北京,100083
  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100049

摘要: 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提高,晶粒逐渐长大,钒被氧化为高价态,但此时薄膜中高键能态氧降低.较高的基片温度和氧分压有利于薄膜中晶粒的生长;低氧分压不利于钒的氧化,高氧分压可以将钒氧化为高价态,同时,氧高键能态降低.

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