γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

周健华; 周圣明; 黄涛华; 林辉; 李抒智; 邹军; 王军; 张荣

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.066

物理学报

γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

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周健华, 周圣明, 黄涛华, 林辉, 李抒智, 邹军, 王军, 张荣. 2007: γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究, 物理学报, 56(7): 4044-4048. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.066

引用本文:

Zhou Jian-Hua, Zhou Sheng-Ming, Huang Tao-Hua, Lin Hui, Li Shu-Zhi, Zou Jun, Wang Jun, Zhang Rong. 2007: Fabrication of nonpolar ZnO film on γ-LiAlO2 substrate and its photo-luminescence properties, Acta Physica Sinica, 56(7): 4044-4048. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.066

Citation:

Zhou Jian-Hua, Zhou Sheng-Ming, Huang Tao-Hua, Lin Hui, Li Shu-Zhi, Zou Jun, Wang Jun, Zhang Rong. 2007: Fabrication of nonpolar ZnO film on γ-LiAlO2 substrate and its photo-luminescence properties, Acta Physica Sinica, 56(7): 4044-4048. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.066

γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100049
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
南京大学物理系,南京,210093

Fabrication of nonpolar ZnO film on γ-LiAlO2 substrate and its photo-luminescence properties

摘要: 利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的α面(11(2)0)ZnO薄膜.衬底温度为350℃时,薄膜是混合取向(α向和c向),以c面ZnO为主,且晶粒尺寸分布很宽;提高温度达500℃,薄膜变为单一的(11(2)0)取向,摇摆曲线半高宽0.65°,晶粒尺寸分布趋窄,利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性.衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大,虽然摇摆曲线半高宽变大,但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV,比在350℃,500℃下制备的样品小1/5.
- 非极性ZnO /
- γ-LiAlO2 /
- PLD /
- 透射谱

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γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100049
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
南京大学物理系,南京,210093

关键词:

非极性ZnO /
γ-LiAlO2 /
PLD /
透射谱

摘要: 利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的α面(11(2)0)ZnO薄膜.衬底温度为350℃时,薄膜是混合取向(α向和c向),以c面ZnO为主,且晶粒尺寸分布很宽;提高温度达500℃,薄膜变为单一的(11(2)0)取向,摇摆曲线半高宽0.65°,晶粒尺寸分布趋窄,利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性.衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大,虽然摇摆曲线半高宽变大,但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV,比在350℃,500℃下制备的样品小1/5.