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双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

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周文政, 林铁, 商丽燕, 黄志明, 朱博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 2007: 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究, 物理学报, 56(7): 4143-4147. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.084
引用本文: 周文政, 林铁, 商丽燕, 黄志明, 朱博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 2007: 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究, 物理学报, 56(7): 4143-4147. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.084
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Zhou Wen-Zheng, Lin Tie, Shang Li-Yan, Huang Zhi-Ming, Zhu Bo, Cui Li-Jie, Gao Hong-Ling, Li Dong-Lin, Guo Shao-Ling, Gui Yong-Sheng, Chu Jan-Hao. 2007: Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers, Acta Physica Sinica, 56(7): 4143-4147. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.084
Citation: Zhou Wen-Zheng, Lin Tie, Shang Li-Yan, Huang Zhi-Ming, Zhu Bo, Cui Li-Jie, Gao Hong-Ling, Li Dong-Lin, Guo Shao-Ling, Gui Yong-Sheng, Chu Jan-Hao. 2007: Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers, Acta Physica Sinica, 56(7): 4143-4147. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.084
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双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁,530004

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海,200062

Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers

  • 摘要: 研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁,530004
  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海,200062

摘要: 研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

English Abstract

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