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磁控溅射制备ZnO薄膜及其声表面波特性

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杨光, Santos Paulo V.. 2007: 磁控溅射制备ZnO薄膜及其声表面波特性, 物理学报, 56(6): 3515-3520. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.079
引用本文: 杨光, Santos Paulo V.. 2007: 磁控溅射制备ZnO薄膜及其声表面波特性, 物理学报, 56(6): 3515-3520. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.079
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Yang Guang, Santos Paulo V.. 2007: Surface acoustic wave properties of ZnO films grown by magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 56(6): 3515-3520. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.079
Citation: Yang Guang, Santos Paulo V.. 2007: Surface acoustic wave properties of ZnO films grown by magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 56(6): 3515-3520. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.079
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磁控溅射制备ZnO薄膜及其声表面波特性

  • 华中科技大学武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部,武汉,430074;华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074;Patti-Drude固体电子学研究所,柏林,D-10117,德国

  • Patti-Drude固体电子学研究所,柏林,D-10117,德国

Surface acoustic wave properties of ZnO films grown by magnetron sputtering

  • 摘要: 通过射频磁控溅射技术在GaAs,Au/GaAs,Si和玻璃基片上成功制备了ZnO多晶薄膜,利用X射线衍射对ZnO薄膜的取向、结晶性进行了表征,结果表明ZnO薄膜呈完全c轴取向,Au缓冲层可以有效地改善ZnO薄膜的晶体质量,X射线摇摆曲线结果表明ZnO(002)衍射峰的半高宽仅为2.41.,同时发现Au缓冲层的结晶质量对ZnO薄膜的c轴取向度有很大影响,通过扫描电子显微镜对ZnO/GaAs和ZnO/Au/GaAs薄膜的表面形貌进行了观测,利用网络分析仪对IDT/ZnO/GaAs薄膜的声表面波特性进行了测量.
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出版历程

磁控溅射制备ZnO薄膜及其声表面波特性

  • 华中科技大学武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部,武汉,430074;华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074;Patti-Drude固体电子学研究所,柏林,D-10117,德国
  • Patti-Drude固体电子学研究所,柏林,D-10117,德国

摘要: 通过射频磁控溅射技术在GaAs,Au/GaAs,Si和玻璃基片上成功制备了ZnO多晶薄膜,利用X射线衍射对ZnO薄膜的取向、结晶性进行了表征,结果表明ZnO薄膜呈完全c轴取向,Au缓冲层可以有效地改善ZnO薄膜的晶体质量,X射线摇摆曲线结果表明ZnO(002)衍射峰的半高宽仅为2.41.,同时发现Au缓冲层的结晶质量对ZnO薄膜的c轴取向度有很大影响,通过扫描电子显微镜对ZnO/GaAs和ZnO/Au/GaAs薄膜的表面形貌进行了观测,利用网络分析仪对IDT/ZnO/GaAs薄膜的声表面波特性进行了测量.

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